Німецькі вчені розробили сонячний елемент з ефективністю 68,9%

Німецькі вчені розробили напівпровідниковий фотоелемент III-V на основі арсеніду галію з ефективністю перетворення світла в електрику 68,9%.

Рекордних результатів досягли дослідники з німецького Інституту сонячних енергетичних систем (Fraunhofer ISE) Інститут Fraunhofer ISE.

Цей успіх став можливим завдяки спеціальній тонкоплівковій технології, у якій шари сонячних елементів спочатку вирощуються на підкладці (плівці) з арсеніду галію, яка потім видаляється. На задню поверхню напівпровідникової структури, яка залишилася, товщиною всього кілька мікрометрів наноситься провідне дзеркало з високою відбивною здатністю. Відбивач був оптично оптимізований за рахунок комбінації кераміки й срібла, а поглинач осередку був заснований на арсеніді галію, легованому азотом, і арсеніду алюмінію-галію p-типу (гетероструктура n-GaAs / p-AlGaAs).

Енергія лазера доставляється або через повітря, або через оптичне волокно в фотоелектричний елемент, характеристики якого відповідають потужності та довжині хвилі монохроматичного лазерного світла.

У порівнянні з традиційною передачею енергії по мідних проводах, системи «power by light» особливо корисні для додатків, які вимагають, наприклад, гальванічно ізольованого джерела живлення, захисту від блискавки або вибуху, електромагнітної сумісності або повністю бездротової передачі енергії, пише buduemo.com.