Немецкие ученые разработали полупроводниковый фотоэлемент III-V на основе арсенида галлия с эффективностью преобразования света в электричество 68,9%.
Рекордных результатов достигли исследователи из немецкого Института солнечных энергетических систем (Fraunhofer ISE) Институт Fraunhofer ISE.
Этот успех стал возможным благодаря специальной тонкопленочной технологии, в которой слои солнечных элементов сначала выращиваются на подложке (пленке) из арсенида галлия, что затем удаляется. На заднюю поверхность оставшейся полупроводниковой структуры, толщиной всего несколько микрометров наносится ведущее зеркало с высокой отражательной способностью. Отражатель был оптически оптимизирован за счет комбинации керамики и серебра, а поглотитель ячейки был основан на арсениде галлия, легированном азотом, и арсениде алюминия-галлия p-типа (гетероструктура n-GaAs / p-AlGaAs).
Энергия лазера доставляется или через воздух, или через оптическое волокно в фотоэлектрический элемент, характеристики которого соответствуют мощности и длине волны монохроматического лазерного света.
По сравнению с традиционной передачей энергии по медным проводам, системы «power by light» особенно полезны для приложений, которые требуют, например, гальванически изолированного источника питания, защиты от молнии или взрыва, электромагнитной совместимости или полностью беспроводной передачи энергии, пишет buduemo.com.